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新材料事業
Advansic／半導体製造装置用部品
高純度SiCスパッタリングターゲット
DC（直流）方式による高速SiC成膜が可能です。
特徴
- DC（直流）方式による高速SiC成膜が可能（RFスパッタリング方式の2倍の成膜速度）
- 均質、緻密な膜が得られ易い
- ダストやパーティクルの発生が少ない
- 大出力スパッタが可能
特性
※表は横にスライドしてご覧いただけます。
| グレード | SSC | CSI | |||
| コード番号 | S312 | S314 | S511 | S452 | S202 |
|---|---|---|---|---|---|
| 結晶型 | β-SiC | β-SiC | β-SiC* | α-SiC | β-SiC,C |
| 密度 kg/m3×103 | 3.19 | 3.18 | 3.18 | 3.20 | 2.50 |
| 4点曲げ強度 Mpa(室温) | 520 | 650 | 470 | 490 | 160 |
| ビッカース硬度 | 2700 | 2270 | 2250 | 2700 | - |
| ヤング率 Gpa | 420 | 420 | 410 | 430 | - |
| 線熱膨張係数 ×10-6(1073K) | 4.0 | 4.9 | 4.9 | 4.8 | - |
| 熱伝導率 W/m・K(室温) | 194 | 190 | 190 | 247 | 60 |
| 比抵抗 Ω・m×10-2(室温) | 0.01 | 0.006 | 0.03 | 130 | 0.005 |
材料グレード・成膜用途例
SSCグレード（SiC成膜）： 耐摩耗性、耐食性、高屈折率、高密着コーティング
CSIグレード（SiC + カーボン成膜） ： 耐摩耗性、低摩擦、高密着コーティング
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