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新材料事業

Advansic／半導体製造装置用部品
高性能静電チャック

高性能静電チャック

高純度材料を使用し、金属汚染が少なく長寿命です。アルミナ製静電チャックに比べて、熱伝導性に優れております。

特徴

  • 広温度域に対応出来ます。（室温～200℃）
  • 吸着・離脱特性に優れています。（2秒以内）
  • 表面状態が優れています。（Ra＜0.01μm）
  • 吸着表面の金属汚染及びパーティクル量が低減できます。
    （＜1010　atoms・cm-2 ）（↑0.21μm＜500/8inch-wafer）
  • フロン系、酸素系プラズマの耐性に優れています。
  • 長寿命

※表は横にスライドしてご覧いただけます。

Items
Purity (Except Al Si) 4N
Contamination to Sillion Wafer atoms/cm-2 <1010
Particles on Sillicon Wafer Counts/8inch <500
Chucking Force (Without dot) gf/cm2 >2500
Chucking/Dechucking Time sec <2
Seal of Back Side Gas (5kPa) sccm <0.5
Thermal Conductivity at R.T.at 200℃ W/mk 30
22
Flatness of Chucking Surface μm 2
Surface Roughness μm 0.01
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PDFダウンロード英語（PDF/203kb）
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