新材料関連 半導体製造装置用部品

高純度SiCスパッタリングターゲット

特長

●DC(直流)方式による高速SiC成膜が可能
(RFスパッタリング方式の2倍の成膜速度)
●均質、緻密な膜が得られ易い
●ダストやパーティクルの発生が少ない
●大出力スパッタが可能

材料グレード・成膜用途例

SSCグレード 高純度・高密度SiCセラミックス
(耐摩耗、高屈折率、耐食性、高密着コーティング)
USCグレード 超高純度SiCセラミックス
(機能デバイス、高純度コーティング)
CSIグレード 高純度C-SiC複合セラミックス
(耐摩耗、低摩擦、高密着コーティング)
グレード SSC CSI
コード番号 S312 S314 S511 S351 S452 S202
結晶型 β-SiC β-SiC β-SiC* α-SiC α-SiC β-SiC,C
純度
(対金属不純物)
3N 3N 5N 3N 4N 3N
密度
kg/m3 ×103
3.19 3.18 3.18 3.2 3.2 2.5
4点曲げ強度
Mpa(室温)
520 650 470 610 490 160
ビッカース硬度 2700 2270 2250 2700 2700
ヤング率
Gpa
420 420 410 430 430
線熱膨張係数
×10-6(1073K)
4.9 4.9 4.9 4.9 4.8
熱伝導率
W/m・K(室温)
194 190 190 235 247 60
比抵抗
Ω・m ×10-2(室温)
0.01 0.006 0.03 30 130 0.005

※ includeα-SiC

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