新材料関連 半導体製造装置用部品

高純度SiCスパッタリングターゲット / SiC Pulse heat tools

特徴

・DC(直流)方式による高速SiC成膜が可能
(RFスパッタリング方式の2倍の成膜速度)
・均質、緻密な膜が得られ易い
・ダストやパーティクルの発生が少ない
・大出力スパッタが可能

特性

グレード SSC CSI
コード番号 S312 S314 S511 S452 S202
結晶型 β-SiC β-SiC β-SiC* α-SiC β-SiC,C
密度 kg/m3×103 3.19 3.18 3.18 3.20 2.50
4点曲げ強度 Mpa(室温) 520 650 470 490 160
ビッカース硬度 2700 2270 2250 2700 -
ヤング率 Gpa 420 420 410 430 -
線熱膨張係数 ×10-6(1073K) 4.0 4.9 4.9 4.8 -
熱伝導率 W/m・K(室温) 194 190 190 247 60
比抵抗 Ω・m×10-2(室温) 0.01 0.006 0.03 130 0.005

材料グレード・成膜用途例

SSCグレード(SiC成膜)      : 耐摩耗性、耐食性、高屈折率、高密着コーティング
CSIグレード(SiC + カーボン成膜) : 耐摩耗性、低摩擦、高密着コーティング

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