新材料関連 半導体製造装置用部品

高性能静電チャック / Electrostatic Chuck

特徴 / Features

・広温度域に対応出来ます。(室温~200℃)
・吸着・離脱特性に優れています。(2秒以内)
・表面状態が優れています。 (Ra<0.01μm)
・吸着表面の金属汚染及びパーティクル量が低減できます。
(<1010 atoms・cm-2)(↑0.21μm<500/8inch-wafer)
・フロン系、酸素系プラズマの耐性に優れています。
・長寿命

Items  
Purity (Except Al Si)   4N
Contamination to Sillion Wafer atoms/cm-2 <1010
Particles on Sillicon Wafer Counts/8inch <500
Chucking Force (Without dot) gf/cm2 >2500
Chucking/Dechucking Time sec <2
Seal of Back Side Gas (5kPa) sccm <0.5
Thermal Conductivity at R.T.at 200℃ W/mk 30
22
Flatness of Chucking Surface μm 2
Surface Roughness μm 0.01

PDFダウンロード(日本語) PDFダウンロード(英語)

新材料関連一覧ページへ

お問い合わせフォームへ
PageTop